[发明专利]基板处理方法和基板处理装置有效
申请号: | 201910079946.4 | 申请日: | 2019-01-28 |
公开(公告)号: | CN110120359B | 公开(公告)日: | 2023-06-20 |
发明(设计)人: | 根来世 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋晓宝;向勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种即使在将溶解氧浓度被调整的处理液进行再利用的情况下,也能够以极其稳定的品质处理基板的基板处理方法和基板处理装置。在供给容器中贮存处理液。测量处理液的溶解氧浓度。通过向供给容器内供给非活性气体的浓度高于空气的浓度调整气体,根据测量出的处理液的溶解氧浓度调整供给容器内的处理液的溶解氧浓度。向基板供给供给容器内的处理液。由供给容器回收供给至基板的处理液。在由供给容器回收处理液之前,使不需要气体在处理液中减少,不需要气体是浓度调整气体以外的气体,在基板的处理中溶入处理液中。 | ||
搜索关键词: | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理方法,其中,包括:处理液贮存工序,在供给容器中贮存处理液;溶解氧浓度测量工序,测量所述处理液的溶解氧浓度;溶解氧浓度调整工序,通过向所述供给容器内供给非活性气体的浓度高于空气的浓度调整气体,根据在所述溶解氧浓度测量工序中测量出的所述处理液的溶解氧浓度调整所述供给容器内的所述处理液的溶解氧浓度;处理液供给工序,向基板供给所述供给容器内的所述处理液;处理液回收工序,将供给至所述基板的所述处理液回收到所述供给容器;不需要气体减少工序,在供给至所述基板的所述处理液由所述供给容器回收之前,使不需要气体在所述处理液中减少,所述不需要气体是所述浓度调整气体以外的气体,在所述处理液供给工序中溶入所述处理液中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社斯库林集团,未经株式会社斯库林集团许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910079946.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:清洁组合物、清洁装置和使用其制造半导体器件的方法
- 下一篇:用于衬底脱气的室
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造