[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201910067000.6 | 申请日： | 2019-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN110085586A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 申洪湜;李相贤;安学润;吴省翰;吴怜默 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L23/532;H01L23/528;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：在半导体基板上的金属图案；覆盖金属图案的蚀刻停止层，该蚀刻停止层包括顺序堆叠的第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层；在蚀刻停止层上的层间电介质层；和穿透层间电介质层和蚀刻停止层的接触插塞，该接触插塞连接到金属图案，其中第一绝缘层包括包含金属性元素和氮的第一绝缘材料，其中第二绝缘层包括含碳的第二绝缘材料，以及其中第三绝缘层包括不含金属性元素和碳的第三绝缘材料。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 蚀刻停止层 金属图案 绝缘材料 半导体器件 接触插塞 层间电介质层 半导体基板 金属性元素 电介质层 属性元素 顺序堆叠 不含金 穿透层 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：在半导体基板上的金属图案；蚀刻停止层，覆盖所述金属图案，所述蚀刻停止层包括顺序堆叠的第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层；在所述蚀刻停止层上的层间电介质层；和穿透所述层间电介质层和所述蚀刻停止层的接触插塞，所述接触插塞连接到所述金属图案，其中所述第一绝缘层包括包含金属性元素和氮的第一绝缘材料，其中所述第二绝缘层包括含碳的第二绝缘材料，以及其中所述第三绝缘层包括不含金属性元素和碳的第三绝缘材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
