[发明专利]一种高纯度纳米多孔铜膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种高纯度纳米多孔铜膜的制备方法，包括以下具体的步骤，步骤1，切割铜基片；步骤2，清洗铜基片，调整铜靶材和铝靶材的溅射电流和溅射电压，预溅射4分钟～6分钟，对铜基片进行清洗；步骤3，制备合金前驱体，在铜靶材和铝靶材的溅射过程中，控制薄膜材料中铜原子含量在25％～35％，溅射后制得合金前驱体；步骤4，腐蚀合金前驱体，将制备出来的合金前驱体放在0.1mol/L～2mol/L的H₂SO₄溶液中腐蚀后放入去离子水中，除去离子杂质，即可制备出纳米多孔铜薄膜。本发明采用铜基片选用基体材料，通过增强膜和基体之间的结合力，从而达到了提高纳米多孔铜膜纯度的目的。

主权项

1.一种高纯度纳米多孔铜膜的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1，切割铜基片；步骤2，清洗步骤1得到的铜基片；将步骤1切割后的铜基片固定在磁控溅射仪的样品基台上，把纯铜靶材和纯铝靶材固定在靶位上，再把挡板旋转至靶台和靶位中间，关闭腔门使得真空室密封，抽真空后打开氩气流量阀，通入氩气，使真空室内压强增加，调节铜基片偏压，并设置铜靶材和铝靶材的溅射电流和溅射电压，预溅射4‑6分钟，然后对铜基片进行清洗；步骤3，制备合金前驱体；将步骤2清洗后的铜基片镀过渡层：开始调整铜靶材和铝靶材的预溅射电流和预溅射电压，进行预溅射，持续3‑5分钟，之后保持铜靶材的溅射电流值、溅射电压值，保持铝靶材的溅射电流值、溅射电压值，保持铜基片偏压值，开始镀工作层，铜靶材和铝靶材进行溅射，溅射结束后，关闭溅射电源，待样品冷却后取出制备好的合金前驱体，铜铝合金前驱体的铜原子含量在在25％～35％；步骤4，腐蚀合金前驱体将配制好的H₂SO₄溶液放入容器中，通入氮气，除去溶液中的残留氧气，将步骤3制备的铜铝合金前驱体放入溶液中，用封口膜封住容器口，放入预设好温度的水浴容器中脱合金，将所得的脱合金后的合金前驱体使用去离子水除去样品表面离子杂质，即得到纳米多孔铜膜。