[发明专利]晶体的生长装置及生长方法在审
| 申请号： | 201910010891.1 | 申请日： | 2019-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN109505008A | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 狄聚青;朱刘;刘运连 | 申请（专利权）人： | 清远先导材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/14 | 分类号： | C30B15/14;C30B33/02;C30B29/34;C30B29/28 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 511517 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶体生长装置，该晶体生长装置包括一内中频感应线圈、一外中频感应线圈，所述外中频感应线圈套设于内中频感应线圈外侧，所述外中频感应线圈在晶体生长过程中能够沿着竖直方向移动；所述内中频感应线圈在晶体生长过程中位置固定；所述晶体生长装置还包括一感应坩埚，所述感应坩埚置于内中频感应线圈内部。本发明同时涉及一种晶体生长方法。本晶体的生长装置及生长方法通过在晶体的不同生长阶段沿着竖直方向向上或者向下移动外中频感应线圈，使双中频感应线圈形成的温场的温度梯度减小，避免晶体开裂，所制备得到的晶体无开裂、气泡、夹杂、散射等缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 中频感应线圈 晶体生长装置 晶体的 晶体生长过程 感应坩埚 生长装置 竖直方向移动 感应线圈 晶体生长 生长阶段 温度梯度 向下移动 中频感应 双中频 线圈套 生长 散射 夹杂 减小 竖直 温场 制备 | ||
【主权项】：
1.一种晶体生长装置，其特征在于：该晶体生长装置包括一内中频感应线圈、一外中频感应线圈，所述外中频感应线圈套设于内中频感应线圈外侧，所述外中频感应线圈在晶体生长过程中能够沿着竖直方向移动；所述内中频感应线圈在晶体生长过程中位置固定；所述晶体生长装置还包括一感应坩埚，所述感应坩埚置于内中频感应线圈内部。
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