[发明专利]处理液及处理方法在审
| 申请号： | 201880090262.8 | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN111758149A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 内田健哉;福井博之;植松育生;岩本武明;权垠相 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;A62D3/36;A62D101/49;C23C16/44 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张楠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据一实施方式，提供一种处理液。处理液是用于对通过使用包含硅及卤素的气体使含硅物在基材上沉积的方法而产生的副产物进行处理的处理液。处理液包含无机碱及有机碱中的至少一者，且为碱性。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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