[发明专利]针对PECVD金属掺杂的碳硬掩模的均质界面的沉积系统和方法在审
| 申请号： | 201880074443.1 | 申请日： | 2018-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN111357082A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 法亚兹·谢赫 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在衬底上沉积硬掩模层的方法包含：氮化所述衬底的第一层。所述第一层选自由二氧化硅与氮化硅组成的群组。通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在氮化后的所述第一层上沉积非晶碳层。使用气体混合物并且在没有等离子体的情况下在所述非晶碳层上沉积单层，所述气体混合物包含带有还原剂的金属前体气体。在所述单层上沉积主体金属掺杂的碳硬掩模层。 | ||
| 搜索关键词： | 针对 pecvd 金属 掺杂 碳硬掩模 界面 沉积 系统 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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