[发明专利]场效应晶体管、其制造方法和使用它的无线通信装置和商品标签有效
申请号: | 201880054815.4 | 申请日: | 2018-09-25 |
公开(公告)号: | CN111095566B | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 崎井大辅;村濑清一郎;胁田润史 | 申请(专利权)人: | 东丽株式会社 |
主分类号: | H10K10/46 | 分类号: | H10K10/46;C08G77/42;C08G77/58;C08K3/013;C08K3/22;C08L83/04;C08L101/00;H10K85/20 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 李照明;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明是一种场效应晶体管,至少具有基板、源极、漏极和栅极、与所述源极和漏极接触的半导体层、以及将所述半导体层与所述栅极绝缘的栅极绝缘层,所述半导体层含有碳纳米管,所述栅极绝缘层含有与无机粒子结合的聚合物。本发明提供漏电流降低、进而半导体溶液被均匀涂布的场效应晶体管和其制造方法。 | ||
搜索关键词: | 场效应 晶体管 制造 方法 使用 无线通信 装置 商品 标签 | ||
【主权项】:
暂无信息
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