[发明专利]基片处理装置和基片处理方法有效
| 申请号： | 201880053792.5 | 申请日： | 2018-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN111066126B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 饭野正;甲斐义广;德永容一;绪方信博;东岛治郎 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式的基片处理装置包括处理单元(16)、控制部(18)和测量部(102)。处理单元包括：能够保持基片并使其旋转的保持部(31)；释放处理液的喷嘴(41)；和对喷嘴供给处理液的导电性的配管部(44)。控制部对处理单元执行通过从喷嘴对由保持部保持并旋转的基片供给处理液来处理基片的液处理。测量部测量因处理液在配管部中流动而产生的流动电流。此外，控制部基于测量部的测量结果来监视液处理。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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