[发明专利]多层复合半导体基板结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201880040129.1 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN111226314A | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 母凤文;须贺唯知 | 申请（专利权）人： | 无锡艾克柏国际微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/36 | 分类号： | H01L23/36;H01B3/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李佳 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市无锡国家高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开提出了一种多层复合半导体基板结构及其制备方法，其中，该结构包括：一高热导率材料层、一键合界面层、一介电材料层、一器件功能层和一支撑衬底；所述键合界面层形成于所述高热导率材料层与所述介电材料层之间，所述高热导率材料层通过所述键合界面层与所述介电材料层键合；所述介电材料层形成于由所述支撑衬底支撑的所述器件功能层之上。该制备方法为低温工艺，将高热导率材料层的生长开始面与介电材料层键合或将高热导率材料层的生长停止面与介电材料层键合。本公开多层复合半导体基板结构及其制备方法改善了器件散热效果，避免了高热导率材料层的直接高温沉积工艺对器件功能层造成的热损伤及应力问题，节省了材料成本和研磨加工成本。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 复合 半导体 板结 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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