[发明专利]用于沉积作为铁电材料的硅掺杂氧化铪的新制剂有效
| 申请号： | 201880028472.4 | 申请日： | 2018-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN110573652B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 雷新建;M·R·麦克唐纳;金武性;李世远 | 申请（专利权）人： | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/455;C23C16/56 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴亦华;徐志明 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一个方面，本发明是包含有机氨基铪和有机氨基硅烷前体化合物两者的制剂，其允许将含硅片段和含铪片段两者锚定在具有羟基的给定表面上以沉积适合作为铁电材料的具有0.5‑8摩尔％范围的硅掺杂水平的硅掺杂氧化铪。在另一方面，本发明是使用所述制剂沉积作为铁电材料的硅掺杂氧化铪膜的方法和系统。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 沉积 作为 材料 掺杂 氧化 制剂 | ||
【主权项】：
1.一种用于沉积硅掺杂氧化铪膜的组合物，所述组合物包含：/n1)至少一种具有下式的有机氨基硅烷前体化合物/nR
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
