[发明专利]半导体装置

摘要

在具备SOI结构的半导体装置中，源极区域(9)和漏极区域(7)沿着相对置的长度最长的方向即长边方向伸长，且在与长边方向正交的方向即短边方向上排列配置。体区域(4)配置为，在平面视图下，在长边方向上伸长，且被漂移区域(5)及绝缘体区域(11)包围。在此，随着从体区域(4)的长边方向的中央部朝向末端部，绝缘体区域(11)与体区域(4)的短边方向的间隔变窄。由此实现高耐压化。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体层，隔着埋入绝缘膜而形成在半导体基板的一主面侧的上部；第一导电型的体区域，形成在所述半导体层的上部；第二导电型的漏极区域，在所述半导体层的上部从所述体区域远离而形成；第二导电型的源极区域，形成在所述体区域的表面；第二导电型的漂移区域，形成在所述半导体层内的所述漏极区域与所述体区域之间；绝缘体区域，在所述半导体层的表面的所述体区域与所述漏极区域之间以重叠在所述漂移区域上的方式形成；栅极绝缘膜，从所述半导体层的表面的所述体区域上的一部分形成到所述绝缘体区域的端部；栅电极，形成在所述栅极绝缘膜上到所述绝缘体区域上；以及电极，在所述源极区域上及所述漏极区域上分别形成；在平面视图下，所述源极区域和所述漏极区域沿着相对置的长度最长的方向即长边方向而伸长，并在与所述长边方向正交的方向即短边方向上排列配置；在平面视图下，所述体区域配置为，在所述长边方向上伸长并被所述漂移区域及所述绝缘体区域包围；随着从所述体区域的所述长边方向的中央部朝向末端部，所述绝缘体区域与所述体区域在所述短边方向上的间隔变窄。