[实用新型]曲面太阳能电池有效
| 申请号： | 201822008963.2 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN209000926U | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 张传升;赵剑;郭凯;韩青树 | 申请（专利权）人： | 国家能源投资集团有限责任公司;中国节能减排有限公司;重庆神华薄膜太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/046 | 分类号： | H01L31/046;H01L31/0463;H01L31/0465 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟;谢湘宁 |
| 地址： | 100011 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种曲面太阳能电池。该曲面太阳能电池包括曲面玻璃和设置在曲面玻璃表面上的薄膜太阳能电池，薄膜太阳能电池包括衬底以及设置与衬底上的电池单元，电池单元被至少一个第一切割区域以及至少一个第二切割区域分隔为多个子电池单元，第一切割区域为多个时，各第一切割区域之间相互平行，第二切割区域为多个时，各第二切割区域之间相互平行，第一切割区域与第二切割区域垂直，相邻各子电池单元之间的连接关系选自并联连接、串联连接以及并联和串联相结合连接中的至少一种。上述曲面太阳能电池能够将薄膜太阳能电池的电压降低至安全电压以下，解决了曲面玻璃弯曲较大时薄膜太阳能电池与曲面玻璃贴合困难的问题，提高产品的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 切割区域 薄膜太阳能电池 太阳能电池 曲面玻璃 电池单元 衬底 平行 本实用新型 子电池单元 安全电压 并联连接 电压降低 连接关系 良品率 并联 分隔 贴合 串联 垂直 | ||
【主权项】：
1.一种曲面太阳能电池，其特征在于，包括曲面玻璃和设置在曲面玻璃表面上的薄膜太阳能电池，所述薄膜太阳能电池包括衬底(50)以及设置与所述衬底(50)上的电池单元，所述电池单元被至少一个第一切割区域(30)以及至少一个第二切割区域(40)分隔为多个子电池单元，所述第一切割区域(30)为多个时，各所述第一切割区域(30)之间相互平行，所述第二切割区域(40)为多个时，各所述第二切割区域(40)之间相互平行，所述第一切割区域(30)与所述第二切割区域(40)垂直，相邻各所述子电池单元之间的连接关系选自并联连接、串联连接以及并联和串联相结合连接中的至少一种。
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- 赵春雨;董建荣;于淑珍;赵勇明;李奎龙;孙玉润;曾徐路;杨辉 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 2013-03-07 - 2014-09-10 - H01L31/046
- 本发明公开了一种输出电压为7V的GaAs激光光伏电池，所述的激光光伏电池包括隔离槽，该隔离槽将所述的光伏电池分隔成7个电池单元，包括1个第一电池单元，以及环绕设于所述第一电池单元四周的6个第二电池单元，电池单元之间串联连接。本发明在电池中间设有一个占电池总面积七分之一的圆形电池，减少常用激光电池中间隔离槽的面积，可大大增加对光斑中央位置高能量密度光的吸收，提高了电池的光电转换效率，可作为高效激光光伏电池广泛应用。
- 一种共振背反射肩并肩薄膜光伏电池结构-201410226811.3
- 刘江涛;刘念华 - 南昌大学
- 2014-05-27 - 2014-09-03 - H01L31/046
- 本发明公开了一种共振背反射肩并肩薄膜光伏电池结构，包括依光路设置的分光聚焦部分和共振背反射肩并肩光伏电池结构，所述共振背反射肩并肩光伏电池结构上层为依次排列不同带隙、不同厚度、不同宽度的半导体材料，底层为由多层薄膜介质反射镜或金属薄膜构成的背反射镜，上层和底层之间可有透明导电材料构成的间隔层，各半导体薄膜或间隔层的厚度采用曲边梯形设计或普通梯形设计。本发明能有效地降低薄膜光伏电池中由于光能转换为热能所产生的损耗，提高光伏电池的效率，同时可以降低薄膜光伏电池的厚度和制作成本。
- 具有串联连接的薄层太阳能模块和用于串联连接薄层太阳能电池单元的方法-201280045516.7
- F.卡格 - 法国圣戈班玻璃厂
- 2012-09-14 - 2014-05-14 - H01L31/046
- 本发明涉及一种具有串联连接的薄层太阳能模块（1），其至少包括：a)被结构化线PR划分为区域的背电极层（3），b）布置在背电极层（3）上并且被结构化线PA划分的光敏半导体层（4），以及c）布置在光敏半导体层（4）的与背电极层（3）相对置的侧上并且被结构化线PF划分为区域的前电极层（5），其中前电极层（5）的区域与背电极层（3）的相邻区域经由结构化线PA以串联连接而电连接，并且具有凸起（7.10）和棱边（7.11）的结构化线PR和具有凸起（7.20）和棱边（7.21）的结构化线PA被彼此构造为，使得通过在光敏半导体层（4）中产生的电流通过前电极层（5）的减小的平均路段而减小欧姆损耗。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
