[实用新型]一种具有可控极化率的二维自旋电子器件有效
| 申请号： | 201820923579.2 | 申请日： | 2018-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN208722887U | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 吴雅苹;卢奕宏;柯聪明;吴志明;张纯淼;康俊勇 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;张迪 |
| 地址： | 361000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种具有可控极化率的二维自旋电子器件，包含基底、层叠设置在基底上表面的增强光吸收层、III‑VI族硫属化物二维材料、铁磁金属层、BN二维材料保护层；以及与III‑VI族硫属化物二维材料连接的第一和第二沟道电极；该器件中铁磁金属层经由界面耦合效应向III‑VI族硫属化物二维材料注入自旋极化载流子，使器件在激光入射下激发产生自旋极化电子，并且在沟道回路中形成自旋电流，且自旋电流的极化率可由铁磁金属层中铁磁金属团簇的形貌及尺度控制。 | ||
| 搜索关键词： | 二维材料 铁磁金属层 硫属化物 自旋电子器件 可控极化 自旋电流 二维 自旋极化载流子 形貌 自旋极化电子 本实用新型 基底上表面 层叠设置 尺度控制 沟道电极 光吸收层 界面耦合 铁磁金属 保护层 极化率 沟道 基底 入射 团簇 激光 激发 | ||
【主权项】：
1.一种具有可控极化率的二维自旋电子器件，其特征在于：包含基底、层叠设置在基底上表面的增强光吸收层、I I I‑VI族硫属化物二维材料、铁磁金属层、BN二维材料保护层；以及与I I I‑VI族硫属化物二维材料连接的第一和第二沟道电极；该器件中铁磁金属层经由界面耦合效应向I I I‑VI族硫属化物二维材料注入自旋极化载流子，使器件在激光入射下激发产生自旋极化电子，并且在沟道回路中形成自旋电流，且自旋电流的极化率可由铁磁金属层中铁磁金属团簇的形貌及尺度控制。
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