[实用新型]半导体装置有效
| 申请号： | 201820015701.6 | 申请日： | 2018-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN207690795U | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 刘子玄;黄水木;杨胜程 | 申请（专利权）人： | 力祥半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/50 | 分类号： | H01L23/50;H01L23/49 |
| 代理公司： | 中国商标专利事务所有限公司 11234 | 代理人： | 宋义兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型关于一种半导体装置，为一种改善散热及降低阻值的封装结构。半导体装置包含基板、晶片、第一夹片及第二夹片。晶片包含共汲极的第一晶体管及第二晶体管，且共汲极连该基板。第一夹片连接第一晶体管的源极；第二夹片连接第二晶体管的源极，第一夹片及第二夹片彼此电性分离。 | ||
| 搜索关键词： | 夹片 晶体管 半导体装置 基板 汲极 晶片 源极 本实用新型 彼此电性 封装结构 散热 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：一基板；一晶片，包含共汲极的一第一晶体管及一第二晶体管，其中该共汲极连接该基板；一第一夹片，连接该第一晶体管的源极；以及一第二夹片，连接该第二晶体管的源极，其中该第一夹片及该第二夹片彼此电性分离。
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