[发明专利]一种氧化钼复合晶体材料的制备方法在审

专利信息
申请号: 201811649608.1 申请日: 2018-12-30
公开(公告)号: CN111439785A 公开(公告)日: 2020-07-24
发明(设计)人: 董学斌;任婕;木士春;董胜其;杨道合;朱军威 申请(专利权)人: 湖北省老兵新材料技术有限责任公司
主分类号: C01G39/02 分类号: C01G39/02;H01G11/24;H01G11/46
代理公司: 中山市华朋弘远知识产权代理事务所(普通合伙) 44531 代理人: 汤畅阳
地址: 437000 湖北省咸*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了一种氧化钼复合晶体材料的制备方法,包括如下步骤;首先,在惰性气体气氛下对钼源进行通电同时对钼源进行加热,并通入混有有机溶剂的惰性气体;然后,对钼源在预定的温度下加热预定的时间;最终,在空气气氛下对在上一步中得到的材料进行加热处理预定的时间。本发明提供的氧化钼复合晶体材料具有较大的比表面积以及良好的电化学性能。
搜索关键词: 一种 氧化钼 复合 晶体 材料 制备 方法
【主权项】:
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