[发明专利]位线预充电及均衡电路、位线预充电及均衡方法、灵敏放大器在审
| 申请号： | 201811630363.8 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109785881A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 熊保玉;段会福;王斌 | 申请（专利权）人： | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4094 | 分类号： | G11C11/4094;G11C11/4074 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 赵逸宸 |
| 地址： | 710055 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 为了避免电容耦合效应对存储单元0的信号余量的影响，本发明提供了一种动态存储器的位线预充电及均衡电路、位线预充电及均衡方法、灵敏放大器。位线预充电及均衡电路，包括设置在BL和bBL之间的nmos管n1、n2、n3，n1、n2、n3的门端同时接信号EQL；其改进之处在于：还包括设置在BL和bBL之间的pmos管p1、p2、p3；p1、p2、p3的门端同时连接信号bEQL，p1、p2的源端接vbleq，p1、p2的漏端分别接BL和BL_N，p3的源端和漏端分别接BL和BL_N；pmos管p1、p2、p3的尺寸分别与nmos管n1、n2、n3的尺寸相同。本发明同时用n管和p管进行预充电及均衡位线操作，使n管和p管的电容耦合作用相互抵消，从而使存储单元0和1的信号容量不再受电容耦合效应的影响，电路改动小、实现成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 预充电 位线 均衡电路 电容耦合效应 灵敏放大器 存储单元 均衡 漏端 门端 源端 电容耦合作用 动态存储器 连接信号 信号容量 信号余量 抵消 电路 改进 | ||
【主权项】：
1.位线预充电及均衡电路，包括设置在BL和bBL之间的nmos管n1、n2、n3，n1、n2、n3的门端同时接信号EQL；其特征在于：还包括设置在BL和bBL之间的pmos管p1、p2、p3；p1、p2、p3的门端同时连接信号bEQL，p1、p2的源端接vbleq，p1、p2的漏端分别接BL和BL_N，p3的源端和漏端分别接BL和BL_N；pmos管p1、p2、p3的尺寸分别与nmos管n1、n2、n3的尺寸相同。
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