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[实用新型]双管芯电容咪头-CN202220188266.3有效
发明人：邱香;马胜祥 -专利权人：深圳市同跃电子有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H04R1/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种双管芯电容咪头，包括信号采集电容、第一场效应管管芯、第二场效应管管芯、第一偏置电压端、第二偏置电压端、第一阻抗调整电路、第二阻抗调整电路，还包括第一耦合电容、第二耦合电容，所述的第一场效应管管芯、第二场效应管管芯分别与信号采集电容电连接，所述的信号采集电容用于采集咪头信号，所述的第一场效应管管芯与第一偏置电压端电连接，所述的第一场效应管管芯与第一阻抗调整电路电连接，所述的第一阻抗调整电路与第一耦合电容电连接；所述的第二场效应管管芯与第二偏置电压端电连接，所述的第二场效应管管芯与第二阻抗调整电路电连接，所述的第二阻抗调整电路与第二耦合电容电连接。
双管电容

[发明专利]存储器单元布置及其方法-CN202111267026.9在审
发明人： J·奥克 -专利权人：铁电存储器股份有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：一种存储器单元布置可包括：第一存储器单元，包括第一场效应晶体管结构，耦合至第一场效应晶体管结构的栅极的第一电容存储器结构，以及耦合至第一场效应晶体管结构的栅极的第一电容杠杆结构，并且其中，多个存储器单元中的第二存储器单元包括：第二场效应晶体管结构，耦合至第二场效应晶体管结构的栅极的第二电容存储器结构，以及耦合至第二场效应晶体管结构的栅极的第二电容杠杆结构；其中，第一电容存储器结构和/或第二电容存储器结构中的至少一个设置在第一电容杠杆结构和第二电容杠杆结构之间的存储器结构区域中
存储器单元布置及其方法

[发明专利]基于霍尔效应的电容性耦合的回转器-CN201480065070.3有效
发明人： D.迪文申佐;G.维奥拉 -专利权人：于利奇研究中心有限公司
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H03H7/00 文献下载
摘要：所述回转器包括霍尔效应材料、用于用与所述霍尔效应材料的平面或者表面垂直的磁场通过所述霍尔效应材料的装置、至少一个用于将交变电流（I1；I2）输入耦合到霍尔效应材料中的输入端口，以及至少一个用于将输出电压（U2；U1）输出耦合的输出端口，所述输出电压（U2；U1）是通过输入耦合的交变电流产生的霍尔电压的量度。按照本发明，每个端口的至少一个端子与连接电极连接，所述连接电极与霍尔效应材料电绝缘，并且与霍尔效应材料构成电容器。因此交变电流电容性地被输入耦合到霍尔效应材料中，并且输出电压电容性地从霍尔效应材料被输出耦合。连接电极的电容性耦合预先给出霍尔效应材料内部中的电势的边界条件，所述边界条件在那里不必然强制电势跳跃。
基于霍尔效应电容耦合回转

[发明专利]压阻电极双电层电容器的力学冲击敏感特性仿真方法-CN201910450971.9在审
发明人：尤政;戴可人;王晓峰 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-05-28 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种压阻电极双电层电容器的力学冲击敏感特性仿真方法，包括以下步骤：建立双电层电容器的双电层效应储能模型，并构建多孔电极的压阻效应模型；将双电层效应储能模型和压阻效应模型进行一体化耦合建模，以获得储能‑冲击敏感耦合模型体系；根据储能‑冲击敏感耦合模型体系利用有限元软件对压阻电极双电层电容器的力学冲击敏感特性进行仿真计算。该方法可实现对力学冲击过程中双电层电容器电极电阻变化、电化学反应过程和输出电压变化的动态仿真，还可以对双电层电容器关键结构参数和工作参数进行扫描，分析其对于器件力学冲击敏感效应的影响规律，有助于促进对力学冲击敏感效应显著性的调节
力学冲击储能电容器电极双电层敏感特性压阻双电层电容器敏感效应压阻效应耦合模型双电层双电层电容器电极电化学反应过程关键结构参数输出电压变化电阻变化动态仿真多孔电极仿真计算工作参数应用场景影响规律敏感耦合显著性构建建模扫描一体化应用分析

[实用新型]一种基于光耦的高速场效应管驱动电路-CN201820799118.9有效
发明人：谢鸿龄 -专利权人：红河学院
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H02M7/219 文献下载
摘要：本实用新型是一种基于光耦的高速场效应管驱动电路，由变压器、整流桥、稳压器、电容、电阻和光电耦合器组成，市电经变压器T变压后输入整流桥Z1的交流侧，电容C1正极性端、整流桥Z1正极性输出端、电容C2上端和稳压器W的1脚相连；稳压器W的3脚与电容C3正极性端、电容C4上端和光电耦合器OC的8脚相连；光电耦合器OC的1脚、4脚留空；光电耦合器OC的6脚、7脚和场效应管的栅极g相连；光电耦合器OC的2脚与电阻R右端相连；电阻R的左端与驱动信号G相连；光电耦合器OC的3脚接地；整流桥Z1的负极性输出端、电容C1负极性端、电容C2下端、稳压器W的2脚、电容C3负极性端、电容C4下端、光电耦合器OC的5脚和场效应管源极s相连后接地
电容光电耦合器稳压器负极性整流桥电阻高速场效应管驱动电路正极性端接地上端光耦下端变压器场效应管源极正极性输出端本实用新型输入整流桥场效应管驱动信号交流侧输出端留空左端市电

[发明专利]开环脉冲宽度调制驱动器的双自举电路-CN201980014152.8有效
发明人：白婧;特贾斯维·达斯;赵欣;朱磊;费晓凡 -专利权人：思睿逻辑国际半导体有限公司
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H03F3/183 文献下载
摘要：驱动器系统可以包括：第一n型场效应晶体管，该第一n型场效应晶体管在其非栅极端子处耦合在驱动器系统的输出端与电源电压的第一端子之间，并且被配置为在第一n型场效应晶体管被激活时驱动输出端；第二n型场效应晶体管，该第二n型场效应晶体管在其非栅极端子处耦合在驱动器系统的输出端与电源电压的第二端子之间，并且被配置为在第二n型场效应晶体管被激活时驱动输出端；高侧电容器，其耦合到驱动器系统的输出端；以及低侧电容器，其耦合到电源电压的第二端子，其中，高侧电容器和低侧电容器被配置为跟踪并校正第一n型场效应晶体管的第一电阻和第二n型场效应晶体管的第二电阻之间的失配。
开环脉冲宽度调制驱动器电路

[发明专利]一种阵列基板及其驱动方法、显示装置-CN201310450684.0有效
发明人：赖意强 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2013-09-25 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：用以抵消寄生电容的耦合效应，提高画面显示品质。通过在阵列基板中添加至少一条附加信号线，该附加信号线与公共电极层的图案交叉形成附加电容，附加电容用于抵消公共电极线与数据线交叉形成的寄生电容的耦合效应。
一种阵列及其驱动方法显示装置

[实用新型]一种滤波器耦合单元和滤波器-CN201921083271.2有效
发明人：卜伟;龚红伟 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01P1/208 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供的滤波器耦合单元和滤波器，该滤波器耦合单元包括子谐振腔、屏蔽层、调谐孔、电容耦合孔以及电感耦合孔；所述屏蔽层设置于所述耦合单元的外表面；所述耦合单元中设有若干个子谐振腔，所述子谐振腔分布于所述耦合单元中；各所述调谐孔各自位于所述子谐振腔的一个端面，用于调整滤波器频率；所述电容耦合孔包括至少一个，位于至少两个所述子谐振腔之间，用于产生电容耦合效应；所述电感耦合孔包括至少一个，设置于相邻的所述子谐振腔之间，用于产生电感耦合效应。从而实现了滤波器的交叉耦合，而且结构简单，易于实现。
一种滤波器耦合单元

[实用新型]基于电磁干扰抑制的高频开关电源-CN201420328217.0有效
发明人：张迎斌 -专利权人：苏州翊宣电子有限公司
申请日： 2014-06-19 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于电磁干扰抑制的高频开关电源，包括：场效应管、肖特基二极管、功率电感、三极管、脉宽调制IC、印制线路板、电压调节器、光电耦合器、变压器、散热片和电解电容，散热片围绕于场效应管和肖特基二极管四周或设置于场效应管和肖特基二极管上，散热片接入电解电容的电容端，变压器与肖特基二极管和场效应管连接，脉宽调制IC与场效应管和光电耦合器连接，电压调节器、电解电容和功率电感为串联连接，功率电感和电压调节器与肖特基二极管和光电耦合器电性连接，二极管与光电耦合器和功率电感连接。
基于电磁干扰抑制高频开关电源

[发明专利]用于开环脉宽调制驱动器的双自举-CN202110177205.7在审
发明人：白婧;特贾斯维·达斯;赵欣;朱磊;费晓凡 -专利权人：思睿逻辑国际半导体有限公司
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H03K7/08 文献下载
摘要：一种驱动器系统以及用于在驱动器系统中使用的方法，所述驱动器系统可以包括第一n型场效应晶体管，在其非栅极端子处被耦合在驱动器系统的输出与供电电压的第一端子之间，并且被配置为当第一n型场效应晶体管被激活时驱动输出；第二n型场效应晶体管，在其非栅极端子处被耦合在驱动器系统的输出与供电电压的第二端子之间，并且被配置为当所述第二n型场效应晶体管被激活时驱动输出；高侧电容器，被耦合到驱动器系统的输出；以及低侧电容器，被耦合到供电电压的第二端子，其中，所述高侧电容器和低侧电容器被配置为追踪和校正第一n型场效应晶体管的第一电阻与第二场效应晶体管的第二电阻之间的不匹配。
用于开环脉宽调制驱动器

[发明专利]传感器-CN201210138964.3有效
发明人：阿克塞尔·纳克尔特斯;马蒂亚斯·梅兹;尤里·维克多诺维奇·波诺马廖夫 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2012-05-07 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明涉及集成在基板上的电化学传感器，该电化学传感器包括：场效应晶体管，集成在基板上并具有源极、栅极和漏极连接，所述场效应晶体管的栅极包括导电耦合到感应电极的感应栅极、和偏置栅极，其中感应栅极电容性耦合到偏置栅极，并且偏置栅极电容性耦合到基板。
传感器

[发明专利]耦合电容消除装置及方法-CN200910211934.9有效
发明人：吴宗霖;黄建霖 -专利权人：瑞鼎科技股份有限公司
申请日： 2009-12-03 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：本发明提出一种应用于电容式触控面板的耦合电容消除装置，该电容式触控面板包括多个触控垫。该耦合电容消除装置包括触控感测模块及耦合电容消除模块。当触控点形成于该电容式触控面板上时，该触控感测模块分别检测所述多个触控垫中的每一个触控垫的电容变化值。该耦合电容消除模块依照预设规则由多个电容变化值确定电容耦合值，并根据该电容耦合值调整多个电容变化值以产生对应于多个触控垫的多个调整后触控电容变化值。本发明还提供一种耦合电容消除方法。本发明的耦合电容消除装置及方法能够消除电容式触控面板与机构环境间的电容耦合效应对于电容变化值造成的影响。
耦合电容消除装置方法

[发明专利]内建电容耦合效应补偿功能的装置及方法-CN200710194062.0无效
发明人：邱莛宸;吴许合;方文振;曾俊钦 -专利权人：瀚宇彩晶股份有限公司
申请日： 2007-11-30 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：本发明披露一种内建电容耦合效应补偿功能的电子装置，其包含第一基板、共用电极、第二基板、耦合撷取结构和补偿电路。共用电极配置于第一基板之上。耦合撷取结构配置于第二基板之上，用以输出一耦合撷取电压；此耦合撷取电压包含一直流电压成分和一非直流电压成分。补偿电路用以接收耦合撷取电压和一第二共用电压，并输出一工作共用电压，此工作共用电压施加至前述的共用电极。本发明还包含一种补偿电子装置电容耦合效应的方法。
电容耦合效应补偿功能装置方法

[实用新型]电容耦合式LED均流电路-CN202020520715.0有效
发明人：孟子钧 -专利权人：孟子钧
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H05B45/30 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电容耦合式LED均流电路，它包括若干个LED串、若干个场效应晶体管和脉宽调制器P，场效应晶体管S1的漏极与场效应晶体管S2的漏极之间连接有一个耦合电容C12，场效应晶体管S2的漏极与场效应晶体管S3的漏极之间连接有一个耦合电容C23，依次类推，场效应晶体管Sn的漏极与场效应晶体管S1的漏极之间连接有一个耦合电容Cn1。
电容耦合 led 流电

[发明专利]一种显示面板及显示装置-CN202211733938.5在审
发明人：陆逸明;赵剑 -专利权人：上海天马微电子有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：使加热走线在加热电压信号的控制下对显示面板进行加热，满足显示面板在低温环境下的正常使用需求，并考虑到第一驱动组件和第二驱动组件之间需通过第一连接线进行信号交互，而传输加热电压信号的加热总线与第一连接线会交叠产生电容耦合效应，为此，在加热走线的启动阶段和/或关闭阶段，使加热电压信号由当前电压信号逐渐变化至目标电压信号，从而降低加热电压信号与第一连接线上的信号的电容耦合效应，且由于第一连接线上的信号为有源信号，对较小的电容耦合效应可快速恢复，进而有效避免电容耦合效应带来的显示异常，提升低温环境下显示器的显示可靠性。
一种显示面板显示装置

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