[发明专利]包含梯级结构的半导体装置和相关方法

摘要

本申请案涉及包含梯级结构的半导体装置及相关方法。一种形成半导体结构的方法包含：在包括电介质材料和另一材料的交替层的堆叠上方形成牺牲材料；穿过所述牺牲材料和所述电介质材料和所述另一材料的所述交替层中的至少一些形成开口；在所述牺牲材料的所述开口和上覆表面中形成至少一种氧化物材料，所述至少一种氧化物材料的最上表面比所述电介质材料和所述另一材料的最上层从衬底的表面延伸更远；平坦化所述至少一种氧化物材料的一至少部分以暴露所述牺牲材料的一部分；及移除所述牺牲层，同时所述至少一种氧化物材料的所述最上表面保持比所述电介质材料和所述另一材料的所述交替层的所述最上层从所述衬底的所述表面延伸更远。揭示形成半导体结构和相关半导体装置的相关方法。

主权项

1.一种形成半导体结构的方法，所述方法包括：在包括电介质材料和另一材料的交替层的堆叠上方形成牺牲材料；穿过所述牺牲材料和所述电介质材料和所述另一材料的所述交替层中的至少一些形成开口；在所述牺牲材料的所述开口及上覆表面中形成至少一种氧化物材料，所述至少一种氧化物材料的最上表面比所述电介质材料和所述另一材料的最上层从衬底表面延伸更远；平坦化所述至少一种氧化物材料的至少一部分以暴露所述牺牲材料的一部分；及移除所述牺牲层，同时所述至少一种氧化物材料的所述最上表面保持比所述电介质材料和所述另一材料的所述交替层的所述最上层距离所述衬底的所述表面更远。