[发明专利]一种有源激光彩色显示模块生产方法在审
| 申请号： | 201811491237.9 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN109286135A | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 潘小和 | 申请（专利权）人： | 矽照光电（厦门）有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/42 | 分类号： | H01S5/42;H01S5/343;H01S5/183 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有源激光彩色显示模块生产方法，在第一晶圆基底上外延生长短波长III‑V族半导体量子发光外延薄膜，生长分布式布拉格反射光栅作为垂直腔面发射激光器的底部反射层；制作有源矩阵显示控制电路，镀一层金属薄膜；进行金属粘合；将带有分布式布拉格反射光栅发射层的量子发光外延片的衬底剥离；选择性地等离子刻蚀形成二维发光阵列；用介质填平表面，形成圆柱形金属电极阵列；用介质再次填平表面，将表面平整；镀一层透明通用电极；生长分布式布拉格反射光栅作为顶部反射层；设置彩色像素阵列。本发明提供了能够规模生产的高密度的有源激光彩色显示模块的有源激光彩色显示模块生产方法，可以规模生产有源激光彩色显示模块。 | ||
| 搜索关键词： | 彩色显示模块 源激光 分布式布拉格反射光栅 规模生产 反射层 填平 发光 垂直腔面发射激光器 彩色像素阵列 二维发光阵列 显示控制电路 半导体量子 等离子刻蚀 圆柱形金属 表面平整 衬底剥离 电极阵列 金属薄膜 金属粘合 通用电极 外延薄膜 外延生长 短波长 发射层 晶圆基 外延片 源矩阵 生长 量子 生产 透明 制作 | ||
【主权项】：
1.一种有源激光彩色显示模块生产方法，其特征在于，包括步骤：在第一晶圆基底上外延生长短波长III‑V族半导体量子发光外延薄膜，然后在短波长III‑V族半导体量子发光外延薄膜表面外延生长分布式布拉格反射光栅作为垂直腔面发射激光器的底部反射层；在第二晶圆基底上采用集成电路工艺制作具有脉冲宽度调制的有源矩阵显示控制电路作为衬底，然后在有源矩阵显示控制电路衬底表面镀一层金属薄膜作为金属粘合层；将所述有源矩阵显示控制电路衬底具有所述金属粘合层的一面与所述带有短波长III‑V族半导体发光器件量子发光外延薄膜的晶圆进行金属粘合，得到带有分布式布拉格反射光栅发射层的量子发光外延片；将带有分布式布拉格反射光栅发射层的量子发光外延片的衬底剥离；在剥离衬底后的量子发光外延片上选择性地等离子刻蚀形成与有源矩阵显示控制电路相对应的二维发光阵列；用介质填平表面，选择性介质等离子刻蚀形成对应于有源矩阵显示控制电路的圆柱形金属电极阵列；用介质再次填平表面，将表面平整；在平整后的表面镀一层透明通用电极；在透明通用电极表面外延生长分布式布拉格反射光栅作为顶部反射层从而形成有源垂直腔面发射激光器阵列；在有源垂直腔面发射激光器阵列上设置彩色像素阵列。
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- 由数字可寻址多色像素的空间阵列构成的发射量子光子成像器。每个像素是多个半导体激光二极管的垂直堆叠，每个半导体激光二极管可以产生不同颜色的激光。在每个多色像素内，从二极管的堆叠产生的光垂直于成像器器件的平面通过多个垂直波导发射，该垂直波导耦合于构成成像器器件的多个激光二极管中的每个的光学限制区域。构成单个像素的激光二极管中的每个是单独可寻址的，使每个像素能够以每个颜色的任何需要的开关占空比同时发射与激光二极管关联的颜色的任何组合。每个个体多色像素可以通过控制它们相应激光二极管的开关占空比同时发射需要的颜色和亮度值。
- 一种高光束质量二维垂直腔面发射激光器列阵-200910067482.1
- 李特;宁永强;刘云;秦莉;王立军;张岩;张立森 - 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
- 2009-09-02 - 2010-02-03 - H01S5/42
- 一种高光束质量二维垂直腔面发射激光器列阵，属于半导体激光器件技术领域涉及的激光器列阵。要解决的技术问题：提供一种高光束质量二维垂直腔面发射激光器列阵。解决的技术方案包括面电极、中心区单一单元激光器件，第一圆环单元激光器件，第二圆环单元激光器件。列阵的中心为中心区单一单元激光器件，在其外侧的同心圆环上均匀分布第一圆环单元激光器件，在第一圆环外侧的同心圆环上均匀分布第二圆环单元激光器件，且第一、第二圆环上单元激光器件的个数相同，同一个圆环上单元激光器件的直径相等，不同圆环上单元激光器件的直径从内至外依次减小，中心区单元激光器件与处于每个同心圆环同一方位的单元激光器件在同一个半径上呈射线状排列。
- 垂直腔面发射激光器列阵的串接结构-200810051624.0
- 史晶晶;王立军;秦莉;刘云;宁永强 - 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
- 2008-12-22 - 2009-06-03 - H01S5/42
- 本发明是一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)列阵的串接结构，涉及光电子及半导体技术领域。该结构包括热沉、热沉表面的金属膜、垂直腔面发射激光器列阵芯片、金属条、流入电极、流出电极及金丝引线、发光单元。该发明实现了VCSEL列阵的串接，结构紧凑，所有的引线都分布在外侧，VCSEL列阵芯片排列紧密，有效的发光面积大，发光密度大。在不提高驱动电流的前提下进一步提高VCSEL列阵的输出功率，拓展了VCSEL列阵的应用范围。使用高导热材料做为热沉散热，又使用热传导效率较高的焊料，加之VCSEL列阵芯片的工作方式是脉冲工作，因此，基本解决了散热问题。
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