[发明专利]存储器件及其形成方法

摘要

本发明的实施例涉及一种包括衬底以及形成在衬底中的源极和漏极区的存储器件及其形成方法。存储器件包括形成在衬底上并且在源极和漏极区之间的栅极电介质。存储器件还包括形成在栅极电介质上的栅极结构，并且栅极结构具有平坦的顶面。该存储器件还包括具有第一、第二和第三间隔件的多间隔件结构。在栅极结构的侧壁与源极和漏极区中的一个的顶面上形成第一间隔件。在第一间隔件的侧壁上形成第二间隔件，第二间隔件的介电常数大于第一间隔件的介电常数。在第二间隔的侧壁和第一间隔件的水平表面上形成第三间隔件。

主权项

1.一种存储器件，包括：衬底；源极和漏极区，形成在所述衬底中；栅极电介质，形成在所述衬底上并且在所述源极和漏极区之间；栅极结构，形成在所述栅极电介质上，其中，所述栅极结构具有平坦的顶面；以及多间隔件结构，包括：第一间隔件，形成在所述栅极结构的侧壁和所述源极和漏极区中的一个的顶面上；第二间隔件，形成在所述第一间隔件的侧壁上，其中，所述第二间隔件包括大于所述第一间隔件的介电常数的介电常数；以及第三间隔件，形成在所述第二间隔的侧壁和所述第一间隔件的水平表面上。