[发明专利]一种选择性湿法处理晶圆边缘的方法及半导体装置有效
| 申请号： | 201811381699.5 | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN109378268B | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 姚大平 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种选择性湿法处理工艺方法和设备装置，该工艺方法应用于晶圆级扇出封装工艺集成，硅片、玻璃、或其他衬底晶圆边缘在常规去胶处理后留下的残胶去除，具体包括：将待处理晶圆背面放置在选择性湿法处理晶圆边缘的半导体装置的下部密封圈上，通过处理腔体Z轴移动，使上部密封圈接触晶圆的正面，由此所述晶圆的边缘密封在所述半导体装置的除胶处理腔内；向处理腔里加入去除残胶溶液，仅对所述待处理晶圆的边缘部分进行湿法处理；预定去胶时间后，排出处理腔内的用过的去胶液；再利用纯水处理冲洗所述晶圆边缘；以及关闭纯水供应阀门，并利用惰性气体干燥晶圆。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 选择性 湿法 处理 边缘 方法 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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