[发明专利]用于光伏吸收剂膜的核-壳纳米粒子在审
| 申请号： | 201811338634.2 | 申请日： | 2014-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN109599323A | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 克里斯托弗·纽曼 | 申请（专利权）人： | 纳米技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/032;H01L31/0384;H01L31/0749;H01L31/18;C09D11/52;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴胜周 |
| 地址： | 英国曼*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 一种制备CIGS‑型核‑壳纳米粒子的方法产生核‑壳纳米粒子，所述核‑壳纳米粒子可以包含四元或三元金属硫属化物核。所述核可以基本上被二元金属硫属化物壳包围。核‑壳纳米粒子可以经由液相沉积而沉积在PV电池接触(例如，钼电极)上。然后沉积的粒子可以被熔化或熔融成为用于光伏器件中的薄吸收剂膜。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米粒子 硫属化物 沉积 熔化 光伏吸收剂 二元金属 光伏器件 三元金属 吸收剂膜 液相沉积 钼电极 熔融 制备 粒子 包围 | ||
【主权项】：
1.一种光伏器件，所述光伏器件包括：支持体；在所述支持体上的衬底层；在所述衬底层上的吸收剂层，所述吸收剂层包含：基质，所述基质具有Cu、In和Ga中的一种或多种以及S和Se中的一种或多种；和分散在整个所述基质中的多个核纳米粒子，所述核纳米粒子包含具有下式的金属硫属化物：AB1‑xB′xC2‑yC′y其中A是Cu、Zn、Ag或Cd；B和B'独立地是Al、In或Ga；C和C'独立地是S、Se或Te；0≤x≤1；并且0≤y≤2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
