[发明专利]锡酸镉靶材的制备方法在审

专利信息
申请号: 201811220400.8 申请日: 2018-10-19
公开(公告)号: CN109437884A 公开(公告)日: 2019-03-08
发明(设计)人: 文崇斌;朱刘;陈肯;曾成亮;胡智向;余芳 申请(专利权)人: 先导薄膜材料(广东)有限公司
主分类号: C04B35/457 分类号: C04B35/457;C04B35/622;C04B35/64;C23C14/34
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 511517 广东省清远市高新区*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种锡酸镉靶材的制备方法,其包括如下步骤:S1、原料混合;S2、球磨;S3、冷等静压;S4、烧结。本发明锡酸镉靶材的制备方法采用冷等静压以及常温烧结相结合的方法来制备锡酸镉靶材,无需石墨坩埚,不会引入杂质,所制备得到的锡酸镉靶材相对密度大于95%、电阻率≤10Ω·cm。
搜索关键词: 锡酸镉 靶材 制备 冷等静压 烧结 石墨坩埚 原料混合 电阻率 球磨 引入
【主权项】:
1.一种锡酸镉靶材的制备方法,其特征在于:其包括如下步骤:S1、原料混合:将5N氧化镉粉末和5N二氧化锡粉末按摩尔比2~2.1:1混合形成混合粉末,再将占混合粉末质量分数1%~3% 的PVA、占混合粉末质量分数3%~5%的纯水加入混合粉末一起混合均匀形成混合料;S2、球磨:将上述混合料放入一球磨机中,球磨4‑6个小时后取出,在70~100℃下烘干1~2小时得烘干料;S3、冷等静压:将烘干料装入一不锈钢模具中,然后将不锈钢模具放入一冷等静压炉中,于300~400MPa下保持1~3小时;S4、烧结:冷等静压后,取出毛坯料,将毛坯料放入一烧结炉中,烧结炉按第一升温速率G1升温至400~500℃,保温T1时间,再以第二升温速率G2升温至1100~1250℃,保温T2时间,随炉冷却后,得到锡酸镉靶材。
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