[发明专利]半导体装置及为其多个组件提供栅极结构的方法在审
| 申请号： | 201811189363.9 | 申请日： | 2018-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN109801878A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 王维一 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘培培;黄隶凡 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体装置和一种为半导体装置的多个组件提供栅极结构的方法。所述方法在所述组件的第一部分上提供第一偶极组合。所述第一偶极组合包括第一偶极层及位于所述第一偶极层上的第一高介电常数层。在所述组件的第二部分上提供第二偶极组合，所述第二偶极组合包括第二偶极层及位于所述第二偶极层上的第二高介电常数层。所述第一偶极组合不同于所述第二偶极组合。在所述第一偶极组合及所述第二偶极组合上提供至少一个逸出功金属层。在所述提供所述逸出功金属层的步骤之后，执行低温退火。在所述逸出功金属层上形成接触金属层。本公开的方法可在加极度按比例缩放的节点改善多阈值电压晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 偶极 偶极层 半导体装置 金属层 逸出功 高介电常数层 栅极结构 阈值电压晶体管 按比例缩放 接触金属层 低温退火 | ||
【主权项】：
1.一种为半导体装置的多个组件提供栅极结构的方法，所述方法包括：在所述多个组件的第一部分上提供第一偶极组合，所述第一偶极组合包括第一偶极层及位于所述第一偶极层上的第一高介电常数层；在所述多个组件的第二部分上提供第二偶极组合，所述第二偶极组合包括第二偶极层及位于所述第二偶极层上的第二高介电常数层，所述第一偶极组合不同于所述第二偶极组合；在所述第一偶极组合及所述第二偶极组合上提供至少一个逸出功金属层；在所述提供所述至少一个逸出功金属层的步骤之后，执行低温退火；以及在所述至少一个逸出功金属层上提供接触金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
