[发明专利]半导体装置

摘要

提供一种半导体装置，该半导体装置包括：基底，包括下基底层、位于下基底层上的掩埋绝缘层和位于掩埋绝缘层上的上基底层；第一沟槽，穿过上基底层、掩埋绝缘层和下基底层的一部分；第二沟槽，穿过上基底层、掩埋绝缘层和下基底层的一部分，并与第一沟槽分隔开；场绝缘层，位于第一沟槽的一部分中以及第二沟槽的一部分中；以及第一鳍状图案，由第一沟槽和第二沟槽限定。场绝缘层的上表面比掩埋绝缘层的上表面高。

主权项

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括下基底层、位于下基底层上的掩埋绝缘层以及位于掩埋绝缘层上的上基底层，基底具有：第一沟槽，穿过下基底层的一部分、上基底层和掩埋绝缘层；第二沟槽，穿过下基底层的一部分、上基底层和掩埋绝缘层，并且与第一沟槽分隔开，第一鳍状图案，由第一沟槽和第二沟槽限定，以及场绝缘层，位于第一沟槽的一部分中以及第二沟槽的一部分中，其中，场绝缘层的上表面比掩埋绝缘层的上表面高。