[发明专利]用于提高器件稳定性的GOA单元有效

专利信息
申请号: 201811181702.9 申请日: 2018-10-11
公开(公告)号: CN109192165B 公开(公告)日: 2020-11-03
发明(设计)人: 吕晓文 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种用于提高器件稳定性的GOA单元,所述GOA单元包括一上拉控制单元、一上拉单元、一下拉单元、一下拉维持单元以及一复位薄膜晶体管;所述复位薄膜晶体管的栅极电性连接一复位信号端,所述复位薄膜晶体管的源极电性连接一工作电压。利用复位信号端的电位设计,减少起始级GOA单元的栅源电压,使其和第n级GOA单元的栅源电压一致,因而能够防止在极端条件下所述起始级GOA单元失效,并提高器件的稳定性。
搜索关键词: 用于 提高 器件 稳定性 goa 单元
【主权项】:
1.一种用于提高器件稳定性的GOA单元,其特征在于:所述GOA单元包括一上拉控制单元、一上拉单元、一下拉单元、一下拉维持单元以及一复位薄膜晶体管(T12);所述上拉单元、所述下拉单元及所述下拉维持单元分别与第n级GOA单元的栅极信号输出端(G(n))电性连接;所述上拉控制单元及所述下拉单元与所述第n级GOA单元的栅极信号点(Q(n))电性连接,所述复位薄膜晶体管(T12)的栅极电性连接一复位信号端(RESET),所述复位薄膜晶体管(T12)的源极电性连接一工作电压(VSSQ),所述复位薄膜晶体管(T12)的漏极电性连接所述第n级GOA单元的栅极信号点(Q(n));其中所述上拉控制单元包括一第一薄膜晶体管(T11),其栅极电性连接一启动信号(STV),漏极电性连接所述复位信号端(RESET),源极电性连接所述第n级GOA单元的栅极信号点(Q(n))。
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