[发明专利]半导体装置的制作方法在审
| 申请号： | 201811141314.8 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN109585414A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 魏俊桓;陈思元;陈柏君;许品宥;陈冠宇 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体装置的制作方法。其实施例是于后段工艺形成三维金属‑绝缘物‑金属电容，其可具有大且可调的电容值，同时不干扰现有的后段工艺。在一实施例中，半导体装置的制作方法包括：形成第一导电结构于半导体基板上；形成第二导电结构于半导体基板上；形成第一通孔结构于第一导电结构上；形成第一金属化结构于第一通孔结构上，其中第一金属化结构经由第一通孔结构导电地耦接至第一导电结构；形成导电蚀刻停止结构于第一金属化结构上；形成第一通孔于导电蚀刻停止结构上，并形成第二通孔于第二导电结构上，其中该第一通孔露出导电蚀刻停止结构，且第二通孔比第一通孔深；以及形成电容于第二通孔中。 | ||
| 搜索关键词： | 通孔 导电结构 蚀刻停止结构 半导体装置 金属化结构 通孔结构 导电 半导体基板 后段工艺 电容 制作 金属电容 导电地 绝缘物 可调的 耦接 三维 金属 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制作方法，包括：形成一第一导电结构于一半导体基板上；形成一第二导电结构于该半导体基板上；形成一第一通孔结构于该第一导电结构上；形成一第一金属化结构于该第一通孔结构上，其中该第一金属化结构经由该第一通孔结构导电地耦接至该第一导电结构；形成一导电蚀刻停止结构于该第一金属化结构上；形成一第一通孔于该导电蚀刻停止结构上，并形成一第二通孔于该第二导电结构上，其中该第一通孔露出该导电蚀刻停止结构，且该第二通孔比该第一通孔深；以及形成一电容于该第二通孔中。
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