[发明专利]一种背接触异质结太阳能电池制作方法

摘要

本发明公开了一种背接触异质结太阳能电池制作方法，其包括：提供N型硅片；在所述硅片的正面依次镀钝化膜层、增透层；在所述硅片的背面依次镀本征非晶硅层、P型非晶硅层；在所述硅片的背面形成蚀刻区域，移除蚀刻区域的本征非晶硅和P型非晶硅层；在硅片背面依次镀本征非晶硅层、N型非晶硅和绝缘层；在所述硅片的背面移除蚀刻区域的绝缘层、N型非晶硅层、本征非晶硅层；在所述硅片的背面移除蚀刻区域的绝缘层；在所述硅片的背面镀透明导电膜层；在所述硅片的背面去除印刷区域的透明导电膜层；在所述硅片的背面镀种子金属层；在所述硅片的背面栅线图案区域电镀铜，形成铜栅线电极；在铜栅线电极上镀金属锡层；去除耐电镀油墨及种子金属层。