[发明专利]互补场效应晶体管中的外延结构有效
| 申请号： | 201810960672.5 | 申请日： | 2018-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN109817618B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 朱利安·弗罗吉尔;谢瑞龙;史帝文·本利;帕尼特·H·苏瓦纳 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L27/12;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及互补场效应晶体管中的外延结构，揭示形成集成电路结构的方法，该集成电路结构包括延伸至衬底中的隔离元件，以及接触该隔离元件的第一晶体管的源/漏区。该隔离元件自该衬底延伸至该第一晶体管的该源/漏区中。隔离层接触该第一晶体管的该源/漏区，且第二晶体管的源/漏区也接触该隔离层。因此，该隔离层位于该第一晶体管的该源/漏区与该第二晶体管的该源/漏区之间。该第一晶体管的沟道区接触并延伸于该第一晶体管的该源/漏区之间，且该第二晶体管的沟道区接触并延伸于该第二晶体管的该源/漏区之间。栅极导体围绕该第一晶体管的该沟道区及该第二晶体管的该沟道区的侧面。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 场效应 晶体管 中的 外延 结构 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路结构，包括：隔离元件，延伸至衬底中；第一晶体管的源/漏区，接触该隔离元件，其中，该隔离元件自该衬底延伸至该第一晶体管的该源/漏区中；隔离层，接触该第一晶体管的该源/漏区；第二晶体管的源/漏区，接触该隔离层，其中，该第一晶体管位于该第二晶体管与该衬底之间，以及其中，该隔离层位于该第一晶体管的该源/漏区与该第二晶体管的该源/漏区之间；该第一晶体管的沟道区，接触并延伸于该第一晶体管的该源/漏区之间；该第二晶体管的沟道区，接触并延伸于该第二晶体管的该源/漏区之间；以及栅极导体，围绕该第一晶体管的该沟道区及该第二晶体管的该沟道区的侧面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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