[发明专利]基于异质栅介质凹型沟道隧穿场效应晶体管及制作方法在审
| 申请号： | 201810843254.8 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN108962982A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 刘红侠;韩涛;李伟;王树龙;陈树鹏 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/43;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种异质栅介质凹型沟道隧穿场效应晶体管，主要解决锗基隧穿场效应晶体管米勒电容值大的问题。其包括：P‑衬底(1)、N+夹层(2)、P+源区(3)、N+漏区(4)、栅区(7)和凹型沟道(8)；P+源区(3)和N+夹层(2)自左向右依次位于P‑衬底(1)的左侧，N+漏区位于P‑衬底的右侧，凹型沟道位于N+夹层与N+漏区之间，凹型沟道的左侧设有第一栅介质(5)，凹型沟道的右侧设有第二栅介质(6)，栅区位于第一栅介质与第二栅介质之间，其中第一栅介质采用TiO2，第二栅介质采用SiO2。本发明降低了米勒电容值，提高了晶体管的开态电流和开关频率，可用于低功耗数字集成电路的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 栅介质 凹型 沟道 隧穿场效应晶体管 夹层 衬底 漏区 米勒电容 异质 源区 栅区 数字集成电路 开关频率 开态电流 低功耗 晶体管 可用 锗基 制备 制作 | ||
【主权项】：
1.一种异质栅介质凹型沟道隧穿场效应晶体管，包括：P‑衬底(1)、N+夹层(2)、P+源区(3)、N+漏区(4)、栅区(7)和凹型沟道(8)；P+源区(3)和N+夹层(2)自左向右依次位于P‑衬底(1)的左侧，N+漏区(4)位于P‑衬底(1)的右侧，凹型沟道(8)位于N+夹层(2)与N+漏区(4)之间，凹型沟道(8)的左侧设有第一栅介质(5)，凹型沟道(8)的右侧设有第二栅介质(6)，栅区(7)位于第一栅介质(5)与第二栅介质(6)之间，其特征在于：第一栅介质(5)采用TiO2，第二栅介质(6)采用SiO2。
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