[发明专利]一种掩模曝光前去除薄膜颗粒的方法在审
| 申请号： | 201810791236.X | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN110737175A | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 31294 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于集成电路制造领域，涉及一种掩模曝光前去除薄膜颗粒的方法，包括如下步骤：步骤一、将曝光薄膜装载于透光板的下表面；步骤二、在所述薄膜的下方设置超声波离子发生器，所述超声波离子发生器向所述薄膜表面发出震荡形离子气体；所述震荡形离子气体与所述薄膜表面呈夹角接触；步骤三、开启光源对所述薄膜进行第一次曝光处理；步骤四、重复步骤二与步骤三，实现重复曝光。本发明能有效降低掩模曝光过程中颗粒对曝光性能的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 离子发生器 薄膜表面 离子气体 掩模曝光 超声波 薄膜 震荡 集成电路制造 薄膜颗粒 夹角接触 曝光薄膜 曝光处理 曝光性能 重复曝光 透光板 下表面 中颗粒 光源 装载 重复 | ||
【主权项】：
1.一种掩模曝光前去除薄膜颗粒的方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤一、提供一光罩，所述光罩包括透光板以及装载于所述透光板下的图案薄膜；/n步骤二、在所述图案薄膜的下方设置超声波离子发生器，所述超声波离子发生器向所述图案薄膜表面发出震荡形离子气体；所述震荡形离子气体的吹气方向与所述图案薄膜的膜表面呈夹角小于90度的倾斜；/n步骤三、开启光源对所述图案薄膜进行曝光处理；/n步骤四、重复步骤二与步骤三，实现重复曝光。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810791236.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种曝光机LED灯源的投射装置
- 下一篇：自动对位曝光机及其工作方法
