[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201810694822.2 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN109427721B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 市川幸治;白田健人 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 周春燕;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供半导体装置及其制造方法，所述半导体装置具备：连接端子，其电连接于半导体芯片；母线，其具有供连接端子贯通的开口；以及熔融部分，其从连接端子的上部一直设置到母线的上表面且包含接合部分，所述连接端子的上部通过贯通母线的开口而位于比母线的上表面靠上的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：连接端子，其电连接于半导体芯片；母线，其具有供所述连接端子贯通的开口；以及熔融部分，其包含从所述连接端子的上部一直设置到所述母线的上表面的接合部分，所述连接端子的上部通过贯通所述母线的所述开口而位于比所述母线的所述上表面靠上的位置。
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