[发明专利]一种具有位错折断结构的GaN基激光器外延结构及其生长方法有效
| 申请号： | 201810678576.1 | 申请日： | 2018-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN108808446B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 邵慧慧;徐现刚;开北超;李沛旭;郑兆河 | 申请（专利权）人： | 潍坊华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;C23C16/34 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨树云 |
| 地址： | 261061 山东省潍坊市奎文区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种具有位错折断结构的GaN基激光器外延结构及其生长方法，自下至上依次包含衬底、成核层、高温GaN层、n型光限制层、n型波导层、发光层、电子阻挡层、P型GaN波导层、P型GaN/AlGaN光限制层和表面欧姆接触层，n型光限制层内设有位错折断层，位错折断层为Al |
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| 搜索关键词： | 一种 具有 折断 结构 gan 激光器 外延 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有位错折断结构的GaN基激光器外延结构，自下至上依次包含衬底、成核层、高温GaN层、n型光限制层、n型波导层、发光层、电子阻挡层、P型GaN波导层、P型GaN/AlGaN光限制层和表面欧姆接触层，其特征在于，所述n型光限制层内设有位错折断层，所述位错折断层为AlxGa1‑xN与Si3N4的超晶格结构，0≤x≤0.6；进一步优选的，0≤x≤0.16；特别优选的，x＝0.08。
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