[发明专利]量子级联激光器、发光设备、制作量子级联激光器的方法有效
| 申请号： | 201810622630.0 | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN109149354B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 吉永弘幸 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028;H01S5/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及量子级联激光器、发光设备、制作量子级联激光器的方法。量子级联激光器包括：激光器结构，所述激光器结构包括第一区、第二区和第三区，第一区具有端面；高比电阻区，所述高比电阻区被设置在第一区和第二区上；金属层，所述金属层被设置在第三区上；介电膜，所述介电膜被设置在端面和高比电阻区上；以及反射金属膜，所述反射金属膜被设置在介电膜、端面和高比电阻区上。第一至第三区被依次布置在第一轴的方向上。激光器结构具有在第二区与第三区之间的边界上的台阶，并且激光器结构包括半导体台面和导电基部。半导体台面具有芯层，并且导电基部用于安装半导体台面。高比电阻区具有比导电基部的比电阻大的比电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 级联 激光器 发光 设备 制作 方法 | ||
【主权项】：
1.一种量子级联激光器，包括：激光器结构，所述激光器结构包括第一区、第二区和第三区，所述第一区具有端面；高比电阻区，所述高比电阻区被设置在所述第一区和所述第二区上；金属层，所述金属层被设置在所述第三区上；介电膜，所述介电膜被设置在所述端面和所述高比电阻区上；以及反射金属膜，所述反射金属膜被设置在所述介电膜、所述端面和所述高比电阻区上，所述第一区、所述第二区和所述第三区被依次布置在第一轴的方向上，所述激光器结构具有被设置在所述第二区与所述第三区之间的边界上的具有水平差的台阶，并且所述激光器结构包括半导体台面和导电基部，所述半导体台面具有芯层，并且所述导电基部用于安装所述半导体台面，并且所述高比电阻区具有比所述导电基部的比电阻大的比电阻。
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