[发明专利]一种改善等离子体刻蚀工艺中首片效应的方法

摘要

本发明提供了一种改善等离子体刻蚀工艺中首片效应的方法，通过先进过程控制系统对前批次晶圆的晶粒数量进行数据收集，并根据收集的数据计算清洁工艺的工艺参数对反应腔室进行清洁，后批次晶圆在该反应腔室中等离子体刻蚀作业后，比较后批次晶圆中首片晶圆的沟槽形貌与目标形貌的差异，将比较结果反馈给先进过程控制系统，先进过程控制系统判断是否需要修正清洁工艺的工艺参数，若是，先进过程控制系统修正清洁工艺的工艺参数，采用修正后的工艺参数对反应腔室进行清洁。本发明可改善后续批次晶圆的首片效应。

主权项

1.一种改善等离子体刻蚀工艺中首片效应的方法，其特征在于，包括：步骤S1：前批次晶圆在等离子体刻蚀机台的反应腔室中进行等离子体刻蚀作业；步骤S2：先进过程控制系统对所述前批次晶圆的晶粒数量进行数据收集，并根据收集的数据计算清洁工艺的工艺参数；步骤S3：根据计算出的工艺参数对所述反应腔室进行清洁；步骤S4：后批次晶圆在所述反应腔室中进行等离子体刻蚀作业；步骤S5：比较后批次晶圆中首片晶圆的沟槽形貌与目标形貌的差异，将比较结果反馈给所述先进过程控制系统；步骤S6：根据反馈结果，所述先进过程控制系统判断是否需要修正对所述反应腔室的清洁工艺的工艺参数；若是，所述先进过程控制系统修正对所述反应腔室的清洁工艺的工艺参数，并执行步骤S7；若否，则执行步骤S8；步骤S7：采用修正后的工艺参数对所述反应腔室进行清洁；步骤S8：沿用步骤S3中的工艺参数对所述反应腔室进行清洁。