[发明专利]一种冠醚辅助制备无机钙钛矿薄膜的方法及其应用有效
| 申请号： | 201810567998.1 | 申请日： | 2018-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN108807144B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 朱俊;陆红波;邱龙臻;魏雅平;王健越 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L51/42;H01L51/46;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230009 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种冠醚辅助制备无机钙钛矿薄膜的方法及其应用，制备方法包括以下步骤(1)配置无机钙钛矿前驱体溶液；(2)在步骤(1)得到的前驱体溶液中加入冠醚；(3)将步骤(2)得到的溶液在衬底上进行旋涂，退火，得到无机钙钛矿薄膜；该方法得到的无机钙钛矿薄膜致密平整，可应用于太阳能电池和发光二极管等光电器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 辅助 制备 无机 钙钛矿 薄膜 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种冠醚辅助制备无机钙钛矿薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)配置无机钙钛矿前驱体溶液，选用溶剂，按通式(CsX)xPbX2的配比加入CsX和PbX2，前驱体溶液的质量浓度10‑500 mg/mL；(2)在步骤(1)得到的前驱体溶液中加入冠醚，冠醚与CsX的摩尔比为1：10‑10:1；(3)将步骤(2)得到的溶液在衬底上进行旋涂，退火，得到厚度为10‑500 nm的无机钙钛矿薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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