[发明专利]一种冠醚辅助制备无机钙钛矿薄膜的方法及其应用有效
| 申请号： | 201810567998.1 | 申请日： | 2018-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN108807144B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 朱俊;陆红波;邱龙臻;魏雅平;王健越 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L51/42;H01L51/46;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230009 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 辅助 制备 无机 钙钛矿 薄膜 方法 及其 应用 | ||
1.一种冠醚辅助制备无机钙钛矿薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)配置无机钙钛矿前驱体溶液，选用溶剂，按通式(CsX)xPbX2的配比加入CsX和PbX2，前驱体溶液的质量浓度10-500 mg/mL；
(2)在步骤(1)得到的前驱体溶液中加入冠醚，冠醚与CsX的摩尔比为1：10-10:1；
(3)将步骤(2)得到的溶液在衬底上进行旋涂，退火，得到厚度为10-500 nm的无机钙钛矿薄膜。
2. 根据权利要求1所述的一种冠醚辅助制备无机钙钛矿薄膜的方法，其特征在于：所述的步骤（1）中溶剂包括DMF、DMSO、NMP中的至少一种，所述通式(CsX)xPbX2中0 ＜ x ＜ 2，X 为Br、I中的至少一种。
3. 根据权利要求1所述的一种冠醚辅助制备无机钙钛矿薄膜的方法，其特征在于：所述的步骤（2）中的冠醚包括14-冠-4、15-冠-5、氮杂-15-冠-5、2-羟甲基-15-冠-5、4'-氨基苯 并-15-冠-5、4'-甲氧羰基苯并-15-冠-5、苯并-15-冠-5、二苯并-15-冠-5、苯杂氮-15-冠- 5、18-冠-6、氮杂-18-冠-6、二氮杂18-冠-6、二环己烷并-18-冠-6、2-(烯丙氧基甲基)-18- 冠-6、4-乙烯基苯并-18-冠-6、4'-羧苯并-18-冠-6、4'-甲酰苯并-18-冠-6、N,N'-二苄基- 4,13-二氮杂-18-冠-6、苯并-18-冠-6、二苯并-18-冠-6、21-冠-7、苯并21-冠-7、二苯并21- 冠-7、24-冠-8、苯并-24-冠-8、二苯并-24-冠-8、二环己烷并-24-冠-8、30-冠-10、苯并-30- 冠-10、二苯并-30-冠-10、双(1,4-亚苯基)-34-冠-10中的至少一种。
4. 根据权利要求1所述的一种冠醚辅助制备无机钙钛矿薄膜的方法，其特征在于：所述的步骤（3）中旋涂时间为20-90 s，旋涂的转速为2000-6000rpm。
5.根据权利要求1至4任一项所述的一种冠醚辅助制备无机钙钛矿薄膜的方法，应用于制备钙钛矿太阳能电池的光吸收层。
6.根据权利要求1至4任一项所述的一种冠醚辅助制备无机钙钛矿薄膜的方法，应用于制备钙钛矿发光二极管的有源发光层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥工业大学，未经合肥工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810567998.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
