[发明专利]光电子器件和用于制造光电子器件的方法有效

专利信息
申请号: 201810554447.1 申请日: 2018-06-01
公开(公告)号: CN108987553B 公开(公告)日: 2021-04-02
发明(设计)人: R.米勒;R.施陶布;C.齐赖斯 申请(专利权)人: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
主分类号: H01L33/52 分类号: H01L33/52;H01L33/60
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 姬亚东;刘春元
地址: 德国雷*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及具有反射材料的光电子器件。光电子器件具有带表面的反射材料。至少一个光电子半导体芯片嵌入到所述反射材料中,使得光电子半导体芯片的至少一个被构造用于发射电磁辐射的上侧不被所述反射材料覆盖。反射材料的表面与光电子半导体芯片的上侧平行伸展地构造并且背向光电子半导体芯片的下侧。反射材料的表面具有对比区域,其中所述反射材料在对比区域中被表面去除并且涂黑。
搜索关键词: 光电子 器件 用于 制造 方法
【主权项】:
1.具有反射材料(40)的光电子器件(10),其中所述反射材料(40)具有表面(41),其中至少一个光电子半导体芯片(30)嵌入到所述反射材料(40)中,使得光电子半导体芯片(30)的至少一个被构造用于发射电磁辐射的上侧(31)不被所述反射材料(40)覆盖,其中反射材料(40)的表面(41)与光电子半导体芯片(30)的上侧(31)平行伸展地构造并且背向光电子半导体芯片(30)的下侧(32),其中反射材料(40)的表面具有对比区域(70),其中所述反射材料(40)在对比区域(70)中被表面去除。
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