[发明专利]一种半导体二极管制造工艺有效
申请号: | 201810534122.7 | 申请日: | 2018-05-29 |
公开(公告)号: | CN108735600B | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
发明(设计)人: | 陈欣洁;张家俊 | 申请(专利权)人: | 东莞市中之电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/329 | 分类号: | H01L21/329;H01L21/67 |
代理公司: | 广州海藻专利代理事务所(普通合伙) 44386 | 代理人: | 张大保 |
地址: | 523000 广东省东莞*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于半导体二极管生产技术领域,具体的说是一种半导体二极管制造工艺,该工艺采用酸洗系统,酸洗系统包括筒体、一号导杆、伸缩杆和酸洗箱;通过一号导杆在转动中与一号板碰撞,使得酸洗箱上下晃动,同时通过一号滑动伸缩杆在酸洗箱上下晃动中配合进行收缩和回复,使得酸洗箱不断的进行搅动,使得酸洗箱中的半导体二极管与酸洗液进行充分的接触,从而提高了半导体二极管的酸洗效率和效果;同时一号滑动伸缩杆外层的一号密封圈和密封单元对一号滑动伸缩杆进行密封,减缓了酸洗液对一号滑动伸缩杆的腐蚀,从而提高了一号滑动伸缩杆的使用寿命,进而提高了半导体二极管酸洗系统得使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 二极管 制造 工艺 | ||
【主权项】:
1.一种半导体二极管制造工艺,其特征在于:该工艺包括如下步骤:步骤一:将硅片放在管式扩散炉内进行硅片的磷扩散和硼扩散;步骤二:将石墨舟放在排线机上,排线机将引线导入石墨舟内;步骤三:用吸盘将吸好的焊片和步骤一中扩散后的硅片依次倒入到步骤二中打好引线的石墨舟内,同时在石墨舟上涂刷助焊剂;步骤四:将步骤三中的石墨舟反转,用托板使引线振动落位,随后,再用托板轻压引线,完成合模;步骤五:将步骤四中合模后的半导体二极管放入到焊接炉中进行焊接;步骤六:将步骤五中焊接好的半导体二级管放入到酸洗系统中进行酸洗;步骤七:将步骤六中酸洗后的半导体二级管送入到下一工序;其中,酸洗系统包括筒体(1)、伸缩杆(2)和酸洗箱(4);所述筒体(1)底部中间位置固定安装有第一电机(11);所述第一电机(11)一端与一号转动盘(13)固定连接;所述一号转动盘(13)的一侧固定安装有导柱(14);所述伸缩杆(2)一端球接在酸洗箱(4)底部,伸缩杆(2)另一端球接在酸洗箱(4)底部;所述酸洗箱(4)底部设有一号通孔,酸洗箱(4)底部固定安装有楔形块(42);楔形块(42)在酸洗箱(4)底部呈圆周分布,楔形块(42)的数量为六块;所述楔形块(42)的截面为三角形,所述筒体(1)底部设有支架(16)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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