[发明专利]电荷传输层的制作方法、电荷传输层、墨水以及光电器件有效
申请号: | 201810458159.6 | 申请日: | 2018-05-14 |
公开(公告)号: | CN108682752B | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
发明(设计)人: | 高远;谢松均 | 申请(专利权)人: | 纳晶科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54;B82Y30/00 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 韩建伟;霍文娟 |
地址: | 310052 浙江省杭州市滨*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供了一种电荷传输层的制作方法、电荷传输层、墨水以及光电器件。该制作方法包括:制备纳米粒子,纳米粒子包括核体和包裹在核体外的壳层,核体的材料为绝缘材料和/或者半导体材料,壳层的材料为半导体电子传输材料或空穴传输材料,半导体材料的禁带宽度大于壳层的材料的禁带宽度;采用溶液法将纳米粒子设置在基底上,形成用于传输电荷的电荷传输层。该方法操作简单,适用于多种溶液法制程,且制作得到的电荷传输层能级在结晶过程中会达到一个稳定状态,有效降低了现有技术中纳米晶作为传输材料在结晶过程中的融合对传输性能造成的影响,提升了器件的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 电荷 传输 制作方法 墨水 以及 光电 器件 | ||
【主权项】:
1.一种电荷传输层的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:制备纳米粒子,所述纳米粒子包括核体和包裹在所述核体外的壳层,所述核体的材料为绝缘材料和/或者半导体材料,所述壳层的材料为半导体电子传输材料或空穴传输材料,所述半导体材料的禁带宽度大于所述壳层的材料的禁带宽度;采用溶液法将所述纳米粒子设置在基底上,形成用于传输电荷的所述电荷传输层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于纳晶科技股份有限公司,未经纳晶科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810458159.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择