[发明专利]光罩装置在审
| 申请号： | 201810441452.1 | 申请日： | 2018-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN110488567A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F1/54;G09F9/00 |
| 代理公司： | 11313 北京市铸成律师事务所 | 代理人： | 宋珊珊;王珺<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种光罩装置，包括：数据接口，用于接收图案数据；以及显示屏，具有透明显示区，所述显示屏与所述数据接口连接，用于根据所述数据接口接收到的所述图案数据在所述透明显示区上显示图案；其中，在所述透明显示区上显示有所述图案的显示屏用作光刻工艺中的图形母版。本发明实施例的光罩装置形成光刻工艺所使用的图形母版的图案的时间较短。 | ||
| 搜索关键词： | 数据接口 透明显示 显示屏 光刻工艺 光罩装置 图案数据 图形母版 图案 显示图案 | ||
【主权项】：
1.一种光罩装置，其特征在于，包括：/n数据接口，用于接收图案数据；以及/n显示屏，具有透明显示区，所述显示屏与所述数据接口连接，用于根据所述数据接口接收到的所述图案数据在所述透明显示区上显示图案；/n其中，在所述透明显示区上显示有所述图案的显示屏用作光刻工艺中的图形母版。/n
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- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
