[发明专利]基板处理方法和基板处理装置有效
申请号: | 201810348854.7 | 申请日: | 2018-04-18 |
公开(公告)号: | CN108735626B | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 日野出大辉 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋晓宝;向勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。当磷酸容器内的磷酸水溶液的硅浓度达到规定浓度范围的上限值时,通过从磷酸容器排出磷酸水溶液和/或减少返回磷酸容器的磷酸水溶液的量,使磷酸容器内的液量减少到规定液量范围的下限值以下的值。当磷酸容器内的液量减少到规定液量范围的下限值以下的值时,通过向磷酸容器补充磷酸水溶液,使磷酸容器内的液量增加到规定液量范围内的值,并且使磷酸容器内的磷酸水溶液的硅浓度减低到规定浓度范围内的值。 | ||
搜索关键词: | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理方法,向在表面露出有硅氧化膜和硅氮化膜的基板供给含有硅的磷酸水溶液,对所述硅氮化膜有选择地进行蚀刻,其中,所述基板处理方法包括:磷酸贮存工序,在磷酸容器中贮存向所述基板供给的所述磷酸水溶液;磷酸引导工序,从所述磷酸容器向磷酸喷嘴引导所述磷酸水溶液;磷酸喷出工序,从所述磷酸喷嘴向所述基板的表面喷出所述磷酸水溶液;基板旋转工序,与所述磷酸喷出工序并行,一边将所述基板保持为水平一边以通过所述基板的中央部的铅垂的旋转轴线为中心旋转所述基板;磷酸回收工序,由磷酸回收单元向所述磷酸容器回收从所述磷酸喷嘴供给到所述基板上的所述磷酸水溶液;浓度检测工序,检测所述磷酸容器内的所述磷酸水溶液的硅浓度;液量减少工序,当所述磷酸容器内的所述磷酸水溶液的硅浓度达到规定浓度范围的上限值时,通过从所述磷酸容器排出所述磷酸水溶液和/或减少返回所述磷酸容器的所述磷酸水溶液的量,使所述磷酸容器内的所述磷酸水溶液的液量减少到规定液量范围的下限值以下的值;磷酸补充工序,当在所述液量减少工序中所述磷酸容器内的所述磷酸水溶液的液量减少到所述规定液量范围的下限值以下的值时,通过从与所述磷酸回收单元不同的磷酸补充单元向所述磷酸容器补充磷酸水溶液,使所述磷酸容器内的所述磷酸水溶液的液量增加到所述规定液量范围内的值,并且使所述磷酸容器内的所述磷酸水溶液的硅浓度降低到所述规定浓度范围内的值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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