[发明专利]利用原位生长图形化势垒层制备的HEMT及其方法

摘要

本发明公开了一种利用原位生长图形化势垒层制备的HEMT及其方法，在生长势垒层时，利用高温条件下关断MO源时势垒层会从螺位错终止处开始分解，通过重复外延生长和高温分解过程可以获得带有随机分布开孔的图形化势垒子层，避免凹槽图形化势垒制备复杂性和重复性问题，简化器件制作工艺。得到的HEMT栅对二维电子气的控制能力强，同时部分保持栅极下的导电能力，减小源漏电极的接触电阻，提高器件高频特性。

主权项

1.利用原位生长图形化势垒层制备HEMT的方法，其特征在于包括以下步骤：1)于一衬底上形成缓冲层；2)于缓冲层上形成沟道层；3)于沟道层上形成势垒层，所述沟道层和势垒层是三五族化合物异质结材料系统；所述势垒层包括固定组分势垒子层和图形化势垒子层，首先控制三族生长源和五族生长源气体通入流量恒定，生长所述固定组分势垒子层；然后控制五族生长源气体保持通入状态，周期性的通入和关断三族生长源气体生长所述图形化势垒子层；4)于势垒层上形成源极和漏极；5)于源极和漏极之间的势垒层上形成电介质层；6)于电介质层上形成栅极。