[发明专利]器件芯片的制造方法在审
申请号: | 201810324299.4 | 申请日: | 2018-04-12 |
公开(公告)号: | CN108735667A | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 田渕智隆 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/3065 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;乔婉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供器件芯片的制造方法,能够低成本地制造出粘贴有粘片膜的器件芯片。一种器件芯片的制造方法,对在正面侧形成有钝化膜的晶片进行加工而制造出器件芯片,其中,该器件芯片的制造方法包含如下的步骤:钝化膜去除步骤,沿着分割预定线将钝化膜去除;晶片支承步骤,使划片带隔着粘贴于晶片的背面的粘片膜对晶片进行支承;分割步骤,将钝化膜作为掩模而从晶片的正面侧实施使用氟系气体的等离子蚀刻,对晶片沿着分割预定线进行分割;以及粘片膜去除步骤,将钝化膜作为掩模而从晶片的正面侧实施使用氧系气体的等离子蚀刻,去除粘片膜的沿着分割预定线的一部分或全部。 | ||
搜索关键词: | 器件芯片 晶片 粘片 分割预定线 钝化膜 制造 等离子蚀刻 钝化膜去除 掩模 粘贴 氟系气体 晶片支承 氧系气体 低成本 划片带 膜去除 分割 支承 去除 加工 | ||
【主权项】:
1.一种器件芯片的制造方法,对在由设定成格子状的分割预定线划分的正面侧的各区域内具有器件并在该正面侧形成有覆盖该器件的钝化膜的晶片进行加工而制造出与该器件对应的多个器件芯片,该器件芯片的制造方法的特征在于,具有如下的步骤:钝化膜去除步骤,沿着该分割预定线将该钝化膜去除;晶片支承步骤,在晶片的背面上粘贴粘片膜,并且使安装于环状的框架的划片带隔着该粘片膜对该晶片进行支承;晶片分割步骤,在实施了该钝化膜去除步骤和该晶片支承步骤之后,将该钝化膜作为掩模而从该晶片的该正面侧实施使用氟系气体的等离子蚀刻,将该晶片沿着该分割预定线分割成各个器件芯片,并且使该粘片膜沿着该分割预定线露出;以及粘片膜去除步骤,在实施了该晶片分割步骤之后,将该钝化膜作为掩模而从该晶片的该正面侧实施使用氧系气体的等离子蚀刻,去除该粘片膜的沿着该分割预定线的一部分或全部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造