[发明专利]一种薄膜电阻的制备方法在审
| 申请号： | 201810310445.8 | 申请日： | 2018-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN108598259A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 左青云;康晓旭;李铭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜电阻的制备方法，包括如下步骤：S01：提供表面覆盖有绝缘层的衬底；S02：在衬底上沉积并图形化薄膜电阻材料层；S03：在衬底和薄膜电阻材料层上依次淀积金属电极材料层和硬掩膜层；S04：采用干法刻蚀图形化硬掩膜层并停止于所述金属电极材料层，完全去除所述金属电极材料层台阶处以及台阶之间的硬掩膜层；S05：采用还原性气体处理暴露出来的金属电极材料层表面；S06：采用各向同性刻蚀图形化金属电极材料，去除上述暴露出来的金属电极材料层，形成薄膜电阻。本发明提供的一种薄膜电阻的制备方法，可以避免薄膜电阻的过刻蚀和金属电极的刻蚀残留问题，提高薄膜电阻的精度和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜电阻 金属电极材料 衬底 制备 薄膜电阻材料 硬掩膜层 去除 绝缘层 图形化金属电极 图形化硬掩膜层 各向同性刻蚀 电极材料层 还原性气体 表面覆盖 淀积金属 干法刻蚀 金属电极 过刻蚀 台阶处 图形化 暴露 刻蚀 沉积 残留 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜电阻的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S01：提供表面覆盖有绝缘层的衬底；S02：在衬底上沉积并图形化薄膜电阻材料层；S03：在衬底和薄膜电阻材料层上依次淀积金属电极材料层和硬掩膜层；S04：采用干法刻蚀图形化硬掩膜层并停止于所述金属电极材料层，完全去除所述金属电极材料层台阶处以及台阶之间的硬掩膜层；其中，所述金属电极材料层台阶处指的是所述薄膜电阻材料层被图形化后所形成的台阶；S05：采用还原性气体处理暴露出来的金属电极材料层表面；S06：采用各向同性刻蚀图形化金属电极材料，去除上述暴露出来的金属电极材料层，形成薄膜电阻。
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