[发明专利]一种多层透明导电膜及其制备方法

摘要

本发明提供了一种多层透明导电膜及其制备方法，在室温下采用磁控溅射方法制备，包括溅射准备、靶材预溅射、底层靶材射频溅射、中间Ag层直流溅射、顶层靶材射频溅射步骤，其中底层和底层采用射频磁控溅射方法制备，中间Ag层采用直流磁控溅射方法制备，且在溅射中间Ag层时，在溅射气体氩气中通入适量的氧气作为反应气体，并通过流量计控制氧气与氩气的流量比例，通入的氧气有效地改善了Ag纳米颗粒的生长过程，使得生长在底层上的Ag纳米颗粒井然有序且连续性佳，从而改善了Ag层的形貌，降低了Ag层对光的吸收；由上述方法制备的多层透明导电膜，表面电阻降低，导电性和透光性提高。

主权项

1.一种多层透明导电膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1）溅射准备，将基底放置在磁控溅射反应室内，将反应室真空度抽至6 X 10‑4Pa，然后充入纯度为99.99%的氩气作为溅射气体；S2）靶材预溅射，分别选取纯度均为99.9%的底层靶材、顶层靶材和中间层Ag靶，并分别预溅射5min‑15min；S3）底层靶材射频溅射，溅射过程充入纯度为99.99%的氩气作为溅射气体，室温下控制压强2.0Pa、射频功率100W，对底层靶材进行射频溅射5min‑10min；S4）中间Ag层直流溅射，溅射过程充入纯度为99.99%的氩气作为溅射气体，同时充入纯度为99.99%的氧气作为反应气体，其中，氧气与氩气的体积比为1‑3：100，室温下控制直流功率20W对中间Ag层进行直流溅射40s‑60s，并沉积在步骤S3的底层靶材上；S5）顶层靶材射频溅射，溅射过程充入纯度为99.99%的氩气作为溅射气体，室温下控制压强2.0Pa、射频功率100W，对顶层靶材进行射频溅射5min‑10min，并沉积在步骤S4的中间Ag层上。