[发明专利]一种功率元件的保护器件及其制作方法

摘要

本发明提供了一种功率元件的保护器件及其制作方法，涉及半导体器件技术领域，首先，提供N型衬底，在N型衬底内形成第一氧化硅层，刻蚀去除第一氧化硅层的底部；其次，依次形成第一P型外延层、N型外延层和第二P型外延层，在第一P型外延层的下表面形成氧化硅底层；再次，在第一P型外延层、N型外延层和第二P型外延层内凹槽的侧壁形成第二氧化硅层；然后，形成第三氧化硅层及金属层，形成第一电极和第二电极；最后，表面形成氧化硅钝化层。该技术方案通过采用埋层工艺实现了TVS的集成，提高了器件抗浪涌能力，减小了器件的面积，实现了高端IC的小尺寸封装，缓解了现有技术存在的抗浪涌能力低、器件面积大的技术问题。

主权项

1.一种功率元件的保护器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：提供N型衬底，在所述N型衬底上通过干法刻蚀形成沟槽，在所述沟槽的侧壁形成第一氧化硅层；步骤二：刻蚀去除所述第一氧化硅层的底部；步骤三：在所述沟槽内由下到上依次形成第一P型外延层、N型外延层和第二P型外延层；步骤四：由N型衬底的背面进行氧注入，在所述第一P型外延层的下表面形成氧化硅底层；步骤五：在所述第一P型外延层、N型外延层和第二P型外延层由上到下刻蚀形成凹槽，所述凹槽的底部延伸至所述第一P型外延层内，在所述凹槽的侧壁形成第二氧化硅层；步骤六：在所述N型衬底和所述第二P型外延层的上方形成第三氧化硅层；步骤七：在所述第三氧化硅层上分别形成通孔，在所述通孔中形成金属层，在所述第二氧化硅层上形成贯穿的接触孔，在所述接触孔和凹槽中沉积形成第一电极，在所述N型衬底的底部形成第二电极；步骤八：在所述第三氧化硅层和第一电极的上表面形成氧化硅钝化层。