[发明专利]存储器件、存储器件的制备方法及电子设备在审
| 申请号： | 201810184734.8 | 申请日： | 2018-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN108336223A | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 张雨;赵巍胜;林晓阳;康旺;张有光 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学青岛研究院 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京太合九思知识产权代理有限公司 11610 | 代理人： | 刘戈 |
| 地址： | 266104 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种存储器件、存储器件的制备方法及电子设备。该存储器件包括：阻变材料、依次层叠的第一导电层、磁性隧道结以及第二导电层；阻变材料位于第一导电层和第二导电层之间；阻变材料贴合在磁性隧道结的边缘处，以包裹磁性隧道结；磁性隧道结包括：依次层叠的磁性固定层、势垒层以及磁性自由层；阻变材料中靠近磁性隧道结的区域内形成有导电通道，导电通道的两端分别连接在磁性固定层和磁性自由层上。本发明实施例提供的存储器件在电学结构上可等效为磁性存储器单元和阻抗存储器单元的并联，具有读写速度快、无限次读写操作以及高开关比率等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器件 磁性隧道结 阻变材料 磁性自由层 第二导电层 第一导电层 磁性固定 导电通道 电子设备 依次层叠 制备 磁性存储器单元 阻抗存储器 电学结构 读写操作 开关比率 边缘处 势垒层 并联 读写 贴合 | ||
【主权项】：
1.一种存储器件，其特征在于，包括：阻变材料、依次层叠的第一导电层、磁性隧道结以及第二导电层；所述阻变材料位于所述第一导电层和所述第二导电层之间；所述阻变材料贴合在所述磁性隧道结的边缘处，以包裹所述磁性隧道结；所述磁性隧道结包括：依次层叠的磁性固定层、势垒层以及磁性自由层；其中，所述磁性固定层的磁化方向固定，所述磁性自由层的磁化方向可在外加磁场或极化电流的作用下发生翻转；所述阻变材料中靠近所述磁性隧道结的区域内形成有导电通道，所述导电通道的两端分别连接在所述磁性固定层和所述磁性自由层上。
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