[发明专利]一种用于磁性随机存储器中参照磁性隧道结单元筛选方法有效

专利信息
申请号: 201710899558.1 申请日: 2017-09-28
公开(公告)号: CN109584922B 公开(公告)日: 2021-05-11
发明(设计)人: 俞华樑;戴瑾 申请(专利权)人: 上海磁宇信息科技有限公司
主分类号: G11C11/16 分类号: G11C11/16
代理公司: 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 代理人: 于晓菁
地址: 201800 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种用于磁性随机存储器中参照磁性隧道结单元筛选方法,用于筛选自旋扭矩磁性随机存储器中参照磁性隧道结单元,在电路中加入一个已知阻值的电阻作为参照检测电阻,然后依次将所有的参照磁性隧道结写到高阻态或低组态,逐一对所述参照磁性隧道结与所述参照检测电阻进行比较,并对不良参照磁性隧道结进行记录;最后得到允许进入参照平均电路的所述参照磁性隧道结。本发明公开的方法能够排除不良参照磁性隧道结参与参照电阻平均,解决由于不良参照磁性隧道结的存在而使得大量以此为参照的数据记忆单元不能准确读取的问题。
搜索关键词: 一种 用于 磁性 随机 存储器 参照 隧道 单元 筛选 方法
【主权项】:
1.一种用于磁性随机存储器中参照磁性隧道结单元筛选方法,用于筛选自旋扭矩磁性随机存储器中参照磁性隧道结单元,其特征在于,具体包括如下步骤:S1.在电路中加入一个已知阻值的电阻作为参照检测电阻;S2.将所有的参照磁性隧道结写到高阻态;S3.逐一对所述参照磁性隧道结与所述参照检测电阻进行比较,如果一个所述参照磁性隧道结阻值小于所述参照检测电阻阻值,则记录该参照磁性隧道结为不良参照磁性隧道结;S4.将所有的所述参照磁性隧道结写到低阻态;S5.逐一对所述参照磁性隧道结与所述参照检测电阻进行比较,如果一个所述参照磁性隧道结阻值大于所述参照检测电阻阻值,则记录该参照磁性隧道结为不良参照磁性隧道;S6.得到允许进入参照平均电路的的所述参照磁性隧道结;同时将含有所述不良参照磁性隧道结的参照列做记录,所述参照列将作为冗余参照列而被参照列选择器排除不进入参照平均电路。
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