[发明专利]基板处理装置和基板处理方法有效
申请号: | 201810169101.X | 申请日: | 2018-02-28 |
公开(公告)号: | CN108630573B | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 桥本光治;长田直之 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋晓宝;向勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发提供一种抑制或防止基板间的处理产生偏差的基板处理装置和方法。该装置包括:基板保持单元,保持基板;处理液流通构件,由内壁面划分出与喷出口连通的处理液流通路的至少一部分;处理液供给单元,向处理液流通路供给比常温高的处理液;温度变化单元,从外侧对处理液流通构件的外壁面加热或冷却,使处理液流通构件的温度变化;控制装置,执行基板处理工序和平衡温度维持工序,在基板处理工序中,控制处理液供给单元,向处理液流通路供给比常温高的处理液,从喷出口喷出处理液,对基板实施处理,在平衡温度维持工序中,在未从处理液供给单元向处理液流通路供给处理液的状态下,控制温度变化单元,将处理液流通构件的内壁面维持为热平衡温度。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,其中,包括:基板保持单元,保持基板;处理液流通构件,具有内壁面和外壁面,通过所述内壁面划分出与向由所述基板保持单元保持的基板喷出处理液的喷出口连通的处理液流通路的至少一部分;处理液供给单元,用于向所述处理液流通路供给比常温高的高温的处理液;温度变化单元,用于从外侧对所述处理液流通构件的所述外壁面进行加热或冷却,使所述处理液流通构件的温度变化;以及控制装置,执行基板处理工序和平衡温度维持工序,在所述基板处理工序中,所述控制装置控制所述处理液供给单元,向所述处理液流通路供给比常温高的高温的处理液,从所述喷出口喷出所述高温的处理液,从而对由基板保持单元保持的基板实施处理,在所述平衡温度维持工序中,在未从所述处理液供给单元向所述处理液流通路供给处理液的状态下,所述控制装置控制所述温度变化单元,将所述处理液流通构件的所述内壁面维持为热平衡温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造